机译:1.3μmAlGaInAs多量子阱用于电吸收调制激光器的研究
机译:在1.3 pm AlGaInAs-InP非冷却多量子阱激光器的势垒中使用应变的新颖研究
机译:在1.3μmAlGaInAs-InP非冷却多量子阱激光器的势垒中使用应变的新颖研究
机译:1.3微米AlGaInAs分布式反射器激光器的4波长25.8 Gbps直接调制激光器阵列
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:通过温度依赖的时间分离的光致发光载体动态调查来自valainas量子孔隙透露
机译:1.3μmAlGaInAs多量子阱用于电吸收调制激光器的研究
机译:超快相位调制器和1.3微米半导体激光器件